陈亦然团队负责人

个人简介

聚焦宽禁带半导体材料外延生长与器件集成，近年成果发表于 Nature Materials、Advanced Materials 等期刊。

教育背景

1. 012005-2009 北京大学 物理学 学士
2. 022009-2014 北京大学 凝聚态物理 博士
3. 032015-2018 日本东京大学 特任研究员

代表论文

• [1]Y. Chen et al., “Defect-Engineered Epitaxy of Wide-Bandgap Semiconductors,” Nature Materials, 2026.
• [2]Y. Chen et al., “Interface Engineering for High-Mobility Devices,” Advanced Materials, 2024.

所属研究方向

• 先进材料与器件

  Advanced Materials & Devices

  围绕宽禁带半导体、量子材料与生物材料，研究外延生长、界面调控与器件集成，突破关键材料瓶颈。

• 未来技术交叉研究

  Future Technology Cross-Disciplinary

  面向尚不明确但潜力巨大的前沿方向，以种子基金与开放课题方式支持探索性、交叉性研究。